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台积电国产3nm!联发科首款旗舰芯片成功流片

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近日,联发科与台积公司联合宣布,联发科首款采用台积公司3纳米制程生产的天玑旗舰芯片开发进展顺利,已成功流片,并计划明年量产。

联发科总经理陈冠州表示:“联发科在拓展全球旗舰市场的策略上,致力于采用全球最先进的技术为用户打造尖端科技产品,提升及丰富大众生活。台积电稳定且高品质的制造能力,让联发科在旗舰芯片上的优异设计得以充分展现,以高性能、高能效且品质稳定的最佳芯片方案提供给全球客户,为旗舰市场带来前所未有的用户体验。”

台积公司的3纳米制程技术不仅为高性能计算和移动应用提供完整的平台支持,还拥有更强化的性能、功耗以及良率。

相较于5纳米制程,台积公司3纳米制程技术的逻辑密度增加约60%,在相同功耗下速度提升18%,或者在相同速度下功耗降低32%。


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